超高速通信やEV向けパワーデバイスに貢献する次世代ウエハー

5Gや6Gなどの高速無線通信ネットワークでは、より高い周波数で動作するパワーアンプやフィルターが求められ、データセンターやコアネットワーク・メトロネットワークでは、超高速かつ低消費電力で超高速光伝送を実現する光デバイスが求められています。さらに電気自動車（EV）などに用いられるパワーデバイスでは、高出力化や電力損失の低減、信頼性の向上が期待されています。

これらの市場ニーズに貢献するため、日本ガイシでは独自の結晶成長法や超精密研磨技術、異種材接合技術を用いて、高性能な次世代ウエハー製品を開発しています。

窒化ガリウム（GaN）ウエハー「FGAN」は、当社独自の液相結晶成長法で低欠陥密度を実現した高品質なGaNウエハーです。

導電性FGANは高輝度のレーザーダイオードや電気自動車（EV）、電源制御などに用いられる大電力かつ低損失のパワーデバイスを実現します。半絶縁性FGANは5Gや6Gなどの無線通信基地局や各種レーダーなどの性能を向上させます。

新たに開発したGaN薄膜と炭化ケイ素（SiC）基板を組み合わせた半絶縁性複合FGANは、低欠陥密度のFGANにSiCの高放熱性を付加して、高周波デバイスのさらなる性能向上と低コスト化に寄与します。

窒化ガリウム（GaN）ウエハー「FGAN」

炭化ケイ素（SiC）ウエハーは、電気自動車（EV）向けなどで採用されているSiCパワー半導体の材料です。

当社は独自の結晶成長法でSiCウエハーの欠陥密度の低減を実現しています。高品質なSiCウエハーの提供が可能で、EV用インバーターなどに使用されるパワーデバイスの信頼性の向上と低コスト化に寄与します。

炭化ケイ素（SiC）ウエハー

窒化アルミニウム（AlN）ウエハーは、殺菌に使用される深紫外発光ダイオード（UVC-LED）の性能向上に貢献できるほか、次世代のパワー半導体への展開も期待されています。当社は独自の製法によって、大型化が非常に難しいとされる単結晶AlNウエハーの4インチ化に成功しました。

光通信向けTFLN複合ウエハーは、ニオブ酸リチウム（LN）とベース基板を接合した複合ウエハーを精密研磨した高性能ウエハーです。これにより結晶ダメージのない薄膜LNを実現し、データセンターやコアネットワーク、メトロネットワークで使用する光変調デバイスの低消費電力化、小型化に貢献します。

無線通信向けLT/LN複合ウエハーは、タンタル酸リチウム（LT）、ニオブ酸リチウム（LN）を使用したSAWフィルター用複合ウエハーです。現在、当社では量産を進めるとともに、独自の直接接合や精密研磨技術に磨きをかけ、5Gや6G通信に対応する高周波フィルター向けの開発をしています。

電気を加えると変形し、変形させると電気が発生する圧電性能の高いPZTを焼結法で作製し、さまざまな支持基板上に常温接合・精密研磨することで、10～50μmの厚みで形成した複合ウエハーです。従来の成膜品よりも大きな変位が得られるため、高性能なアクチュエーターや高感度センサーデバイスの実現が可能です。