製品・技術

ウエハー製品

概要

複合ウエハーの構造

NGKの複合ウエハーは、常温直接接合により熱ストレスをかけることなく、また接着材を使用しないため、支持基板の特性をそのまま機能層に生かすことが可能です。独自の精密研磨技術により、機能層を超精密に薄研磨加工し、提供することが可能です。
機能層及び支持層の厚み・公差は、ご要望に応じてカスタムに対応します。

複合ウエハー組み合わせ

機能層をサポートする支持基板は、用途により選択可能です。機能層として半導体結晶・圧電結晶、下地層(支持基板)として単結晶・多結晶(セラミックス)・ガラス(非晶質)の各種組み合わせにより 、「絶縁」「熱伝導」「熱膨張」「剛性」など、各種特性の改善が可能となります。

  • 組合せによって、「MEMS」「パワー半導体」「高周波デバイス」などの基板として提供可能です。
  • その他素材の組み合わせにも対応します。
  • 多結晶セラミックスにつきましては、要求特性に合わせた新材料の開発に応じることが可能です。
複合ウエハー組み合わせ一覧表
 支持基板(Base Substrate)
機能層(Functional Layer) 単結晶多結晶セラミックスアモルファス
シリコンSiLiTaO3/LiNbO3サファイヤSapphireアルミナAl2O3
(HICERAM)
窒化アルミAlN窒化ケイ素Si3N4炭化ケイ素SiCジルコニアZrO2ガラスGlass
低熱膨張
高熱伝導
共材高絶縁
高強度
高絶縁
高強度
高絶縁
高熱伝導
高熱伝導
高強度
高熱伝導
高強度
高強度低熱膨張
Si半導体   高周波デバイスパワー半導体
LED・LD
  
GaAs     
SiC    パワー半導体
LED・LD
  
GaN      
ZnO      
LiTaO3圧電体SAWPiezoelectric MEMSPiezoelectric MEMS
LiNbO3Piezoelectric MEMSPiezoelectric MEMSOptics
PZTPiezoelectric MEMSPiezoelectric MEMS
  • In production
  • R&D (for RF devices)
  • R&D (for Power Devices LED・LD)
  • R&D (for Piezoelectric MEMS)
  • Potential application

ラインアップ

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