新製品の創出
高周波デバイス・パワーデバイス・光デバイス用途で高出力・高効率、高い信頼性を実現するGaNウエハー
開発品の概要

窒化ガリウム(GaN)ウエハー「FGAN」は、日本ガイシ独自の液相結晶成長法によりウエハー全面にわたり低欠陥密度を実現したGaNウエハーです。
5Gや6Gなどの無線基地局に用いられる高周波デバイス用の半絶縁性タイプと、電気自動車(EV)や電源制御などに用いられるパワーデバイス用、プロジェクターの光源などに用いられる光デバイス用の導電性タイプの両方を開発しています。
特長
高い結晶性を実現
平衡系である液相から晶出したFGANは、結晶内に含まれる欠陥が少なく、非常に高い結晶性を示します。
結晶性の高さは、製造する高周波デバイス・パワーデバイス・光デバイスの出力や効率の向上、および、信頼性の向上に寄与します。
ウエハー表面のカソードルミネッセンス像※

X-rayロッキングカーブ※
面指数 | 半値幅 |
---|---|
(0002) | 50秒(典型値) |
- ※結晶性を回折X線の鋭さで評価する手法

基本仕様
項目 | 単位 | 2インチ | 4インチ | 6インチ |
---|---|---|---|---|
直径 | mm | 50 ± 0.3 | 100 ± 0.3 | 150 ± 0.3 |
厚み | µm | 330 ± 30 | 360 ± 40 | 400 ± 60 |
TTV | µm | ≦ 20 | ≦ 20 | ≦ 50 |
SORI | µm | ≦ 25 | ≦ 50 | ≦ 100 |
主面方位 | - | (0001) | (0001) | (0001) |
オフ角度 | degree | 0.5 ± 0.2 | 0.5 ± 0.25 | 0.5 ± 0.3 |
欠陥密度 | /cm2 | ≦ 2x106 | ← | ← |
抵抗率 (導電性) | Ω・cm | ≦ 0.02 | ← | ← |
抵抗率 (半絶縁性) | Ω・cm | ≧ 105 | ← | ← |
仕上げ:Ga面 | - | 鏡面 | ← | ← |
仕上げ:N面 | - | 粗面 | ← | ← |
新規開発品「半絶縁性複合FGAN」
現行品に比べ低欠陥で高放熱。GaNデバイスの性能向上に貢献します
日本ガイシはGaN薄膜と炭化ケイ素(SiC)基板を組み合わせた半絶縁性複合FGANを新たに開発しました。低欠陥密度のFGANにSiCの高放熱性を付加することで、高周波デバイスのさらなる性能向上と低コスト化に寄与します。


研究開発に関するお問い合わせ
NV推進本部