高周波デバイス・パワーデバイス・光デバイス用途で高出力・高効率、高い信頼性を実現するGaNウエハー

開発品の概要

特長

高い結晶性を実現

平衡系である液相から晶出したFGANは、結晶内に含まれる欠陥が少なく、非常に高い結晶性を示します。
結晶性の高さは、製造する高周波デバイス・パワーデバイス・光デバイスの出力や効率の向上、および、信頼性の向上に寄与します。

ウエハー表面のカソードルミネッセンス像※

X-rayロッキングカーブ※

基本仕様

項目	単位	2インチ	4インチ	6インチ
直径	mm	50 ± 0.3	100 ± 0.3	150 ± 0.3
厚み	µm	330 ± 30	360 ± 40	400 ± 60
TTV	µm	≦ 20	≦ 20	≦ 50
SORI	µm	≦ 25	≦ 50	≦ 100
主面方位	-	（0001）	（0001）	（0001）
オフ角度	degree	0.5 ± 0.2	0.5 ± 0.25	0.5 ± 0.3
欠陥密度	/cm2	≦ 2ｘ106	←	←
抵抗率 (導電性)	Ω・cm	≦ 0.02	←	←
抵抗率 (半絶縁性)	Ω・cm	≧ 105	←	←
仕上げ：Ga面	-	鏡面	←	←
仕上げ：N面	-	粗面	←	←

新規開発品「半絶縁性複合FGAN」

現行品に比べ低欠陥で高放熱。GaNデバイスの性能向上に貢献します

日本ガイシはGaN薄膜と炭化ケイ素（SiC）基板を組み合わせた半絶縁性複合FGANを新たに開発しました。低欠陥密度のFGANにSiCの高放熱性を付加することで、高周波デバイスのさらなる性能向上と低コスト化に寄与します。