複合ウエハー
複合ウエハーの新たな可能性
概要
日本ガイシの複合ウエハーは、常温直接接合により熱ストレスをかけることなく、また接着材を使用しないため、支持基板の特性をそのまま機能層に生かすことが可能です。独自の精密研磨技術により、機能層を超精密に薄研磨加工し、提供することが可能です。
機能層及び指示層の厚み・公差は、ご要望に応じてカスタムに対応します。

複合ウエハー組み合わせ
機能層をサポートする支持基板は、用途により選択可能です。機能層として半導体結晶・圧電結晶、下地層(支持基板)として単結晶・多結晶(セラミックス)・ガラス(非晶質)の各種組み合わせにより 、「絶縁」「熱伝導」「熱膨張」「剛性」など、各種特性の改善が可能となります。
複合ウエハー組み合わせ一覧表
支持基板(Base Substrate) | |||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
機能層 (Functional Layer) |
単結晶 | 多結晶セラミックス | アモルファス | ||||||||
シリコン Si |
LiTaO3/ LiNbO3 |
サファイヤ Sapphire |
アルミナ Al2O3 (HICERAM) |
窒化アルミ AlN |
窒化ケイ素 Si3N4 |
炭化ケイ素 SiC |
ジルコニア ZrO2 |
ガラス Glass |
|||
低熱膨張 高熱伝導 |
共材 | 高絶縁 高強度 |
高絶縁 高強度 |
高絶縁 高熱伝導 |
高熱伝導 高強度 |
高熱伝導 高強度 |
高強度 | 低熱膨張 | |||
Si | 半導体 | 高周波デバイス | |||||||||
GaAs | |||||||||||
SiC | パワー半導体 LED・LD |
||||||||||
GaN | |||||||||||
ZnO | |||||||||||
LiTaO3 | 電圧体 | SAW | |||||||||
LiNbO3 | Piezoelectric MEMS | Optics | |||||||||
PZT |
■:In production
■:R&D (for RF devices)
■:R&D (for Power Devices LED・LD)
■:R&D (for Piezoelectric MEMS)
■:Potential application
■:R&D (for RF devices)
■:R&D (for Power Devices LED・LD)
■:R&D (for Piezoelectric MEMS)
■:Potential application
- 組合せによって、「MEMS」「パワー半導体」「高周波デバイス」などの基板として提供可能です。
- その他素材の組み合わせにも対応します。
- 多結晶セラミックスにつきましては、要求特性に合わせた新材料の開発に応じることが可能です。
電子電気機器用セラミックスに関するお問い合わせ
エレクトロニクス事業本部 電子営業部
- 052-872-7935 FAX:052-872-8846