お知らせ
「COMNEXT 2024」に出展
複合ウエハーやGaNウエハー、AINウエハー、セラミックパッケージを紹介
2024年06月13日
日本ガイシは、2024年6月26日（水）から28日（金）まで
東京ビッグサイト（東京都江東区）で開催される 「COMNEXT 2024 ～第2回［次世代］通信技術＆ソリューション展～」に出展します。
展示会概要
| テーマ | COMNEXT 2024 ～第2回［次世代］通信技術＆ソリューション展～ |
|---|---|
| 会期 | 2024年6月26日（水）10:00～18:00 2024年6月27日（木）10:00～18:00 2024年6月28日（金）10:00～17:00 |
| 会場 | 東京ビッグサイト（東京国際展示場 南展示棟） （〒135-0063 東京都江東区有明3-11-1） |
| 主催 | RX Japan株式会社 |
| 公式サイト | COMNEXT 2024 ～第2回［次世代］通信技術＆ソリューション展～ |
出展概要
複合ウエハー
異種材料を貼り合わせた複合ウエハー。二種類の基板を接着剤を使わず直接接合し、機能層を薄く高精度研磨することで、支持基板の物性である「高絶縁」「高熱伝導」「低熱膨張」「高剛性」などを付加し、各種特性の改善が可能です。5G通信用フィルター、光通信用変調デバイス、サブTHz用アンテナ、MEMSデバイスなどの基板として、小型、高速、低消費電力化に貢献します。
ウエハー製品 製品情報
窒化ガリウム（GaN）ウエハー「FGAN」
窒化ガリウム（GaN）ウエハー「FGAN」は、日本ガイシ独自の液相結晶成長法で実現した欠陥の少ない高品質なGaNウエハーです。
日本ガイシは5Gや6Gなどの無線基地局に用いられる高周波デバイス用の半絶縁タイプと、電気自動車（EV）や電源制御などに用いられるパワーデバイス用の導電性タイプの両方を開発しています。
今回新たに開発したGaN薄膜と炭化ケイ素（SiC）基板を組み合わせた複合FGANは、低欠陥密度なFGANにSiCの高放熱性を付加して、高周波デバイスのさらなる性能向上と低コスト化に寄与します。
日本ガイシは5Gや6Gなどの無線基地局に用いられる高周波デバイス用の半絶縁タイプと、電気自動車（EV）や電源制御などに用いられるパワーデバイス用の導電性タイプの両方を開発しています。
今回新たに開発したGaN薄膜と炭化ケイ素（SiC）基板を組み合わせた複合FGANは、低欠陥密度なFGANにSiCの高放熱性を付加して、高周波デバイスのさらなる性能向上と低コスト化に寄与します。
窒化アルミニウム（AlN）ウエハー
窒化アルミニウム（AlN）ウエハーは、深紫外発光ダイオード（UVC-LED）への適用に加えて、次世代の高周波デバイスへの展開も期待されています。日本ガイシは独自製法を用いて結晶成長の検討を進めた結果、2インチおよび4インチサイズのAlN単結晶ウエハーの作製に成功しました。
セラミックパッケージ
6G社会の創出に向け高速・大容量通信、低消費電力＆高速処理対応が必要となる次世代通信技術。その次世代通信用半導体素子を収納するのがセラミックパッケージです。当社が提供するセラミックパッケージは、高周波用パワーアンプ、光トランシーバー、ミリ波通信等の高周波デバイスの高性能化・高効率化を支え、通信データインフラに貢献しています。
セラミックパッケージ・HTCC 製品情報
以上