お知らせ

窒化ガリウムウエハー「FGAN」に関する
名古屋大学と日本ガイシの共同研究成果を国際会議「SSDM2023」で発表します

2023年09月01日

名古屋大学と日本ガイシの共同研究チームは、2023年9月5日（火）から8日（金）まで名古屋国際会議場で開催される国際会議「2023年 国際固体素子・材料コンファレンス（SSDM2023）」（主催：応用物理学会）に出席し、共同で進めている窒化ガリウム（GaN）ウエハーの応用に関する研究成果を発表します。

　日本ガイシでは独自の液相結晶成長技術を用いた窒化ガリウム（GaN）ウエハー「FGAN」の開発を行っており、名古屋大学の天野研究室と連携してGaNウエハーを適用した次世代パワーデバイスの実用化に向けた共同研究を実施しています。

学会概要

学会名 2023年 国際固体素子・材料コンファレンス
（2023 International Conference on Solid State Devices and Materials：SSDM2023）
主催者 公益社団法人応用物理学会
会場 名古屋国際会議場
公式サイト SSDM2023
期間 2023年9月5日（火）～ 8日（金）

発表概要

日時 2023年9月6日（水）15:00～15:15
場所 名古屋国際会議場 4号館 432
タイトル GaN Vertical p-n Junction Diode on GaN Substrate Grown by Na-Flux Method with Avalanche Capability and Demonstration of 100 A (pulsed) Operation
発表者 名古屋大学：川崎晟也※、渡邉浩崇、新田州吾、田中敦之、本田善央、天野浩
日本ガイシ：杉山智彦、野中健太朗、倉岡義孝
発表内容 液相結晶成長法で成長したGaNウエハーを用いてGaN縦型PNダイオードを作製した。作製したPNダイオードで100A動作（パルス駆動）が確認され、液相結晶成長法によるGaNウエハーが大電力パワーデバイス用途に高いポテンシャルを有していることが示された。
  • ※口頭発表者
SSDM2023

窒化ガリウム（GaN）ウエハー「FGAN」について

4インチ半絶縁性FGAN（左）と4インチ導電性FGAN（右）
4インチ半絶縁性FGAN（左）と4インチ導電性FGAN（右）

　FGANは、日本ガイシ独自の液相結晶成長法により低欠陥密度を実現したGaNウエハーです。導電性FGANは、高輝度のレーザーダイオードや、大電力かつ低損失のパワーデバイスを実現します。半絶縁性FGANは、高周波化・高出力化が求められる5Gや6Gなどの無線通信基地局や各種レーダー、衛星通信向け高周波デバイスの性能を向上させます。

窒化ガリウム（GaN）ウエハー「FGAN」

以上

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