お知らせ
窒化ガリウムウエハー「FGAN」に関する
名古屋大学と日本ガイシの共同研究成果を国際会議「SSDM2023」で発表します
2023年09月01日
名古屋大学と日本ガイシの共同研究チームは、2023年9月5日(火)から8日(金)まで名古屋国際会議場で開催される国際会議「2023年 国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2023)」(主催:応用物理学会)に出席し、共同で進めている窒化ガリウム(GaN)ウエハーの応用に関する研究成果を発表します。
日本ガイシでは独自の液相結晶成長技術を用いた窒化ガリウム(GaN)ウエハー「FGAN」の開発を行っており、名古屋大学の天野研究室と連携してGaNウエハーを適用した次世代パワーデバイスの実用化に向けた共同研究を実施しています。
学会概要
学会名 | 2023年 国際固体素子・材料コンファレンス (2023 International Conference on Solid State Devices and Materials:SSDM2023) |
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主催者 | 公益社団法人応用物理学会 |
会場 | 名古屋国際会議場 |
公式サイト | SSDM2023 |
期間 | 2023年9月5日(火)~ 8日(金) |
発表概要
日時 | 2023年9月6日(水)15:00~15:15 |
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場所 | 名古屋国際会議場 4号館 432 |
タイトル | GaN Vertical p-n Junction Diode on GaN Substrate Grown by Na-Flux Method with Avalanche Capability and Demonstration of 100 A (pulsed) Operation |
発表者 | 名古屋大学:川崎晟也※、渡邉浩崇、新田州吾、田中敦之、本田善央、天野浩 日本ガイシ:杉山智彦、野中健太朗、倉岡義孝 |
発表内容 | 液相結晶成長法で成長したGaNウエハーを用いてGaN縦型PNダイオードを作製した。作製したPNダイオードで100A動作(パルス駆動)が確認され、液相結晶成長法によるGaNウエハーが大電力パワーデバイス用途に高いポテンシャルを有していることが示された。 |
- ※口頭発表者

窒化ガリウム(GaN)ウエハー「FGAN」について

FGANは、日本ガイシ独自の液相結晶成長法により低欠陥密度を実現したGaNウエハーです。導電性FGANは、高輝度のレーザーダイオードや、大電力かつ低損失のパワーデバイスを実現します。半絶縁性FGANは、高周波化・高出力化が求められる5Gや6Gなどの無線通信基地局や各種レーダー、衛星通信向け高周波デバイスの性能を向上させます。
窒化ガリウム(GaN)ウエハー「FGAN」
以上