お知らせ

「ICSCRM2025」でSiCウエハーに関する研究成果を発表

2025年09月08日

日本ガイシ株式会社は2025年9月14日（日）から9月19日（金）まで、韓国の釜山で開催される国際会議「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM）2025」に参加します。「ICSCRM」は次世代パワー半導体素子に使われる炭化ケイ素（SiC）に関する世界最大の国際会議です。当社は開発中のSiCウエハーに関する研究成果を発表するとともに、関連製品を展示します。

国際会議概要

国際会議名 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM）2025
開催地 韓国・釜山
会場 BEXCO - Convention Hall, Exhibition Center 1 Hall #1, Auditorium
当社ブース ブースNo.053
公式サイト ICSCRM2025 CONFERENCE
期間 2025年9月14日（日）～ 9月19日（金）

発表概要

口頭講演

日時 2025年9月19日（金）14:00 ～ 14:15
会場 Convention Hall A+B, 1F (FRI_3A)
タイトル Reduction of Basal Plane Dislocations in 8-inch SiC Substrates Using Novel Crystal Growth Method Based on Batch Processing
発表者 福井宏史※、岡田陽平、浦田勇輝、松川真也、二階祐宇、舘太優介、稲吉晴子、松島潔、吉川潤
発表内容 SiCパワーデバイスの歩留まりや信頼性の向上に対し、SiCウエハーの基底面転位（BPD）低減は重要な課題である。日本ガイシは保有するセラミックプロセス技術を活用し、低BPD密度を有する単結晶層を、多数枚のウエハー上へ同時に成長させる独自製法を開発中である。SiC市場ではウエハーサイズの大口径化が進んでおり、今後は8インチウエハーが主流になることが予想される。本発表では、8インチウエハーに本製法を適用し、得られた結晶のBPD密度を含む基本特性を紹介する。
  • ※講演者

ポスター講演

日時 2025年9月18日（木）15:00 ～ 17:00
場所 Exhibition Hall 1, 1F at BEXCO (P20)
タイトル Suppression of Bipolar Degradation in SiC PiN Diodes Using Substrates Fabricated by Novel Crystal Growth Method Based on Batch Processing
発表者 日本ガイシ：稲吉晴子※、杉山智彦、松島潔、吉川潤
名古屋工業大学：ZHANG Endong, 加藤正史
発表内容 SiCパワーデバイスの信頼性向上には、SiCウエハー中のBPDが原因となって発生するバイポーラ劣化の抑制が重要な課題である。この課題の解決に向けて、日本ガイシでは、低BPD密度を有するSiC単結晶層をSiCウエハー上に成長させる独自製法の確立に取り組んでいる。本発表では、この独自製法で作製した低BPD密度のSiCウエハーを用いてPiNダイオードを試作し、バイポーラ劣化抑制効果を実証した内容について報告する。（名古屋工業大学と日本ガイシの共同研究成果）
  • ※講演者

出展概要

炭化ケイ素（SiC）ウエハー

写真は6インチのSiCウエハー

　SiCウエハーは、電気自動車（EV）向けなどで採用されているSiCパワー半導体の材料です。

　当社は独自の結晶成長法でSiCウエハーの欠陥密度の低減を実現しています。高品質なSiCウエハーの提供が可能で、EV用インバーターなどに使用されるパワーデバイスの信頼性の向上と低コスト化に寄与します。

炭化ケイ素（SiC）ウエハーについて


＜参考展示＞

大電流配線基板

　大電流配線基板は、EV向けインバーターに採用が進んでいるSiCなどのパワー半導体の性能を最大限に引き出す新しい配線部材です。独自の製法により多層のセラミック基板に厚さ100μmの銅配線を埋設し、従来のワイヤーを使った配線に比べて配線長を短くすることで、スイッチングサージを大幅に低減します。

絶縁放熱回路基板（AMB）

　絶縁放熱回路基板（AMB）※は絶縁材料であるセラミック板の両面に、銅板が接合された製品です。インバーター制御機器に組み込まれるパワー半導体から発生する熱を逃がすことで、高効率な安定動作に貢献します。

  • ※AMB：Active Metal Brazing method

EVバッテリー用断熱板

　独自技術によるハニカム構造を採用したセラミックス製品を開発中です。この構造により、優れた断熱性と軽量化の両立を実現し、1000℃以上の高温環境に耐える耐熱性と高い絶縁性を備えたセラミックスの特性を活かすことで、EVバッテリー火災などの緊急時において、防火壁や断熱板として機能し、延焼の抑制に貢献します。





次世代ウエハー
絶縁放熱回路基板（AMB）

以上

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