お知らせ
「PCIM Europe 2024」に出展
SN-AMB/DCB基板やSiCウエハーなどを紹介
2024年06月05日
日本ガイシは、2024年6月11日（火）から13日（木）までドイツ・ニュルンベルクで開催される「 Power Conversion and Intelligent Motion ：PCIM Europe 2024」に出展します。PCIMは パワー半導体やインバーター、コンバーターといったパワーエレクトロニクス分野に特化した世界最大規模の展示会です。
展示会概要
| 会期 | 2024年6月11日（火）～13日（木） |
|---|---|
| 開催地 | ドイツ・ニュルンベルク |
| 会場 | ニュルンベルク メッセ |
| 小間番号 | Hall 9 - 404 |
| 公式サイト | PCIM Europe |
出展概要
SN-AMB/DCB回路基板
SN-AMB/DCB回路基板は絶縁材料であるセラミック板の両面に、銅板が接合された製品です。インバーター制御機器に組み込まれるパワー半導体から発生する熱を逃がすことで、高効率な安定動作に貢献します。
SN-AMB※1基板は活性金属接合法（AMB）を用いて銅板とSi3N4板を接合した基板で、主にハイブリッド自動車（HEV）や電気自動車（EV）向けパワーモジュールに使用されます。NGKのAMB基板は数ミクロン以下の接合層を実現しており、接合層の熱抵抗の影響がほとんどありません。
DCB※2基板は直接接合法（DCB）を用いて銅板とアルミナ系セラミックスを接合した基板で、車載用に加え産業用機器向けパワーモジュールにも用いられます。
- ※1SN-AMB：Si3N4-Active Metal Brazing method
- ※2DCB：Direct Copper Bonding method
SiCウエハー（参考出展）
炭化ケイ素（SiC）ウエハーは、電気自動車（EV）向けなどで採用されているSiCパワー半導体の材料です。SiCウエハーの基底面転位（Basal Plane Dislocation：BPD）密度の低減はパワー半導体の性能に重要なパラメーターです。日本ガイシは多数枚のSiCウエハーを同時に処理することにより低コストでBPD密度を低減できるプロセスを開発しています。今回、このプロセスを用いて結晶成長させた６インチSiCウエハーを初めて展示します。
セラミック大電流配線基板（参考出展）
大電流配線基板は、EV向けインバーターに採用が進んでいるSiCなどのパワー半導体の性能を最大限に引き出す新しい配線部材です。NGK独自の製法により多層のセラミック基板に厚さ100μmの銅配線を埋設し、従来のワイヤーを使った配線に比べて配線長を短くすることで、スイッチングサージを大幅に低減します。
以上