お知らせ

「PCIM Europe 2024」に出展
SN-AMB/DCB基板やSiCウエハーなどを紹介

2024年06月05日

日本ガイシは、2024年6月11日(火)から13日(木)までドイツ・ニュルンベルクで開催される「 Power Conversion and Intelligent Motion :PCIM Europe 2024」に出展します。PCIMは パワー半導体やインバーター、コンバーターといったパワーエレクトロニクス分野に特化した世界最大規模の展示会です。

展示会概要

会期 2024年6月11日(火)~13日(木)
開催地 ドイツ・ニュルンベルク
会場 ニュルンベルク メッセ
小間番号 Hall 9 - 404
公式サイト PCIM Europe


出展概要

SN-AMB/DCB回路基板

絶縁放熱回路基板(AMB/DCB)

 SN-AMB/DCB回路基板は絶縁材料であるセラミック板の両面に、銅板が接合された製品です。インバーター制御機器に組み込まれるパワー半導体から発生する熱を逃がすことで、高効率な安定動作に貢献します。
 SN-AMB※1基板は活性金属接合法(AMB)を用いて銅板とSi3N4板を接合した基板で、主にハイブリッド自動車(HEV)や電気自動車(EV)向けパワーモジュールに使用されます。NGKのAMB基板は数ミクロン以下の接合層を実現しており、接合層の熱抵抗の影響がほとんどありません。
 DCB※2基板は直接接合法(DCB)を用いて銅板とアルミナ系セラミックスを接合した基板で、車載用に加え産業用機器向けパワーモジュールにも用いられます。

  • ※1SN-AMB:Si3N4-Active Metal Brazing method
  • ※2DCB:Direct Copper Bonding method

絶縁放熱回路基板(AMB/DCB)製品サイト


SiCウエハー(参考出展)

炭化ケイ素(SiC)ウエハーは、電気自動車(EV)向けなどで採用されているSiCパワー半導体の材料です。SiCウエハーの基底面転位(Basal Plane Dislocation:BPD)密度の低減はパワー半導体の性能に重要なパラメーターです。日本ガイシは多数枚のSiCウエハーを同時に処理することにより低コストでBPD密度を低減できるプロセスを開発しています。今回、このプロセスを用いて結晶成長させた6インチSiCウエハーを初めて展示します。


セラミック大電流配線基板(参考出展)

大電流配線基板は、EV向けインバーターに採用が進んでいるSiCなどのパワー半導体の性能を最大限に引き出す新しい配線部材です。NGK独自の製法により多層のセラミック基板に厚さ100μmの銅配線を埋設し、従来のワイヤーを使った配線に比べて配線長を短くすることで、スイッチングサージを大幅に低減します。


日本ガイシ
NGKヨーロッパ(ドイツ)

以上

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