お知らせ
窒化ガリウムウエハー「FGAN」に関する
名古屋工業大学と日本ガイシの共同研究成果を国際会議「ICNS-14」で発表します
2023年11月01日
名古屋工業大学と日本ガイシの共同研究チームは、2023年11月12日（日）から17日（金）までヒルトン福岡シーホークで開催される国際会議「The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)」（主催：ICNS-14）に出席し、共同で進めている窒化ガリウム（GaN）ウエハーの応用に関する研究成果を発表します。
日本ガイシは、独自の液相結晶成長技術を用いたGaNウエハー「FGAN」の開発を進めています。名古屋工業大学の分島研究室との共同研究では、無線通信で使用される高周波デバイスに高品質なGaNウエハーを適用することで得られる優位性の検証を行っています。
学会概要
| 学会名 | The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) |
|---|---|
| 主催者 | ICNS-14 |
| 会場 | ヒルトン福岡シーホーク |
| 公式サイト | ICNS-14 |
| 期間 | 2023年11月12日（日）～ 17日（金） |
発表概要
| 日時 | 2023年11月16日（木）12:05～12:20 |
|---|---|
| タイトル | Microwave Power Performance of AlGaN/GaN HEMT on Semi-insulating Mn-doped GaN Substrate |
| 発表者 | 名古屋工業大学：杉野智大※、大崎賢司、分島彰男 日本ガイシ：杉山智彦、野中健太朗、倉岡義孝 |
| 発表内容 | 液相結晶成長法で成長した半絶縁性GaNウエハーを用いてHEMT（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）を作製した結果、一般的なSiCウエハーを用いた場合と比較して良好な特性が得られ、高周波デバイス用のウエハーとしての優位性を確認した。 |
- ※口頭発表者
窒化ガリウム（GaN）ウエハー「FGAN」について
FGANは、日本ガイシ独自の液相結晶成長法により低欠陥密度を実現したGaNウエハーです。半絶縁性FGANは、高周波化・高出力化が求められる5Gや6Gなどの無線通信基地局や各種レーダー、衛星通信向け高周波デバイスの性能を向上させます。導電性FGANは、高輝度のレーザーダイオードや、大電力かつ低損失のパワーデバイスを実現します。
窒化ガリウム（GaN）ウエハー「FGAN」
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以上