お知らせ
第71回応用物理学会春季学術講演会で
SiCウエハーおよびAlNウエハーに関する研究成果を発表します
2024年03月08日
日本ガイシは、2024年3月22日（金）から25日（月）まで東京都市大学で開催される「第71回応用物理学会春季学術講演会」（主催：公益社団法人応用物理学会）に参加し、開発中の炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび窒化アルミニウム（AlN）ウエハーに関する研究成果を発表します。
学会概要
| 学会名 | 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 |
|---|---|
| 主催者 | 公益社団法人応用物理学会 |
| 会場 | 東京都市大学 |
| 公式サイト | 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 |
| 期間 | 2024年3月22日（金）～ 25日（月） |
発表概要
炭化ケイ素（SiC）ウエハー （ポスター講演）
| 日時 | 2024年3月22日（金）13:30 ～ 15:30 |
|---|---|
| タイトル | 低BPD密度を有する4H-SiC結晶の多数枚ウエハー上への同時成長 |
| 発表者 | 福井宏史※、浦田勇輝、岡田陽平、宮風里紗、松川真也、松島潔、吉川潤 |
| 発表内容 | SiCパワー半導体の本格普及において、基底面転位（BPD）密度の低減は重要課題である。そこで我々は、多数枚のSiCウエハー上へ同時に結晶成長させることにより原理的に低コストでBPD密度を低減可能なプロセスを開発している。本研究にて4インチの4H-SiC種結晶上への9枚同時結晶成長を行い、種結晶と結晶成長層界面付近でBPD密度が大幅に低減可能であることを確認した。 |
- ※ポスター講演者
窒化アルミニウム（AlN）ウエハー （口頭講演）
| 日時 | 2024年3月24日（日）9:00 ～ 9:15 |
|---|---|
| タイトル | 固相成長法による窒化アルミニウム単結晶基板の作製 |
| 発表者 | 佐藤洋介※、阿閉恭平、小林博治、吉川潤 |
| 発表内容 | 窒化アルミニウム（AlN）は深紫外発光ダイオード（UVC-LED）への適用や、次世代のパワー半導体への展開も期待されている。我々は独自の製法によりAlNウエハーの結晶成長の検討を進めた結果、2インチ及び4インチサイズのAlN単結晶基板の作製に成功した。 |
- ※口頭講演者
炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび窒化アルミニウム（AlN）ウエハーについて
炭化ケイ素（SiC）ウエハーは、シリコン（Si）ウエハーなど従来の半導体と比較して、大幅な電力損失の低減が可能なことから、電気自動車（EV）などに使用されるパワー半導体材料として急速に需要が高まっています。一方、窒化アルミニウム（AlN）ウエハーは、殺菌用途を中心にニーズが拡大している深紫外発光ダイオード（UVC-LED）の性能を向上できる可能性があるほか、次世代のパワー半導体への展開も期待されています。
日本ガイシは、こういったニーズに対応するため、炭化ケイ素（SiC）ウエハーと窒化アルミニウム（AlN）ウエハーの開発を行っています。
以上