半導体製造装置用セラミックス

静電チャック

概要

静電チャック

強度、熱伝導、耐熱衝撃に優れた性能を発揮しています。当社独自の体積抵抗制御の技術により、幅広い温度帯域に対応可能です。

特長

広範囲な温度対応(-50〜500℃)

高強度、高熱伝導、高耐熱衝撃性能を有する。窒化アルミニウム(AlN)セラミックスを誘電体の基材に採用しており独自の体積抵抗率制御により低、中、高温度の幅広い領域に対応可能。

耐食性

フッ素系などのハロゲンガスに対して耐食性に優れています。

ウエハー裏面低パーティクル処理

表面処理と特殊洗浄による低パーティクル化を実現します。

高純度

AlN純度99.9%以上も対応可能です。特に、半導体製造時のコンタミネーションの影響が大きいアルカリ金属について1ppm以下まで低減しています。

機能

日本ガイシのAlN静電チャックはウエハー吸着機能に加え、各種機能を追加することができます。

加熱

高精度な発熱体埋設技術によりセラミックヒーターと 一体化することが可能になり、ウエハー表面温度を±1%以下に実現します。

冷却

高熱伝導性をもつAlNと冷却プレートを接合することにより極めて高い冷却性能を有します。

RF電流対応のバルク電極

バルク電極は、シンプルで安定したウエハーの吸着とRFプラズマ生成を同時に実現します。

AlN静電チャック吸着面形状

ウエハーの均熱性を向上させるためにAlN静電チャック吸着面にスリット加工によりガス流路の形成ができます。(エンボス形状)

仕様

サイズ 200mm、300mm、450mmウエハー対応
吸着メカニズム ジョンソン・ラーベック(AlN)、
クーロン(Al2O3
電極形状 双極または単極

AlNの材料特性

[代表値]

  Aluminum Nitride
HA-12 HA-37/38 HA-50/51
純度 (%) 95 99.8 99
密度 [g/cc] 3.3 3.3 3.3
体積抵抗率 [Ωcm](25℃) >1E+15 1E+8〜+12 >1E+15
熱伝導率 [W/mK](25℃) 170 90 80
熱容量 [J/kgK] 750 750 750
熱膨張系数 [×10-6/℃] 5.7(1000℃) 5.0(1000℃) 5.6(1000℃)
強度 [MPa] 400 400 310
ビッカーズ硬さ [GPa] 9.8 10.7 -
ヤング率 [GPa] 300 300 300
誘導率   8.6 8.8 8.6

半導体製造装置用セラミックスに関するお問い合わせ

HPC事業部営業部 東京営業所