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ビア付きハイセラムウエハー

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概要

  • ハイセラムの緻密性・高強度により、100um以下の極薄ビア付き基板を実現
  • WLP(Wafer Level Packaging・ウエハーレベルパッケージ)の低背化に貢献

特長

高純度アルミナ(ハイセラム)

  • 高抵抗率、低熱膨張率、高熱伝導率、によりWLP用ビア付き基板として最適
  • Ag-Pdの使用と当社独自技術により、気密性を確保した導体の形成が可能
  • ウエハーサイズは8インチまで対応

特性一覧表

ウエハー直径
Wafer Diameter
inch 4 - 8
ウエハー厚み
Wafer Thickness
mm 0.05 – 0.15 (4Φ)
0.2 – 0.3 (8Φ)
ビア導体
Via Metal
  Ag - Pd
ビア直径
Via Diameter
um 50 - 60
表面粗さ
Surface Roughness
nm Ra : < 5
気密性
Hermeticity
Pa*m3/s < 1x10-7

アプリケーション例

  • COMS用ベースウエハー
  • 仮サポート用ウエハー
  • ビア付きハイセラムウエハー

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透光性アルミナセラミックス「ハイセラム」についてはこちらをご覧ください

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  • エレクトロニクス事業本部電子部品事業部営業部
  • 電話番号:052-872-7935
  • FAX番号:052-872-8846

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