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CMOS用ベースウエハー

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概要

ハイセラムの緻密性と当社の加工技術により、高平坦なベースウエハーを実現。セラミック成形技術により大型化が容易なため、サファイアの代替基板として高周波CMOSデバイスの高性能化に貢献します。

サファイアに代わる絶縁ベース基板を提案します。

ハイセラム※ベース

シリコン-ハイセラム直接接合界面

※日本ガイシ独自の高純度・透光性アルミナ

特長

  • 高純度、緻密なアルミナ材料であるハイセラムを用いた高平坦セラミックウエハー
  • 直接接合が可能な、表面の清浄度、平坦性を実現
  • 大型サイズ基板(~12インチ)まで対応可能

特性一覧表

ウエハー径
Wafer Diameter
inch 4 - 12
ウエハー厚み
Wafer Thickness
mm 0.3 – 1.5
表面粗さ
Surface Roughness
nm Ra: < 2.0  Rt: < 20
ウエハー反り
Shaping (Warp)
um < 100 (8,12Φ)
ウエハー表面金属汚染(コンタミ)
Metallic Contamination
(Na, K, Ca, Ti, Cr, Zn, Ni, Fe)
Atoms/cm2 < 1.0x1011

アプリケーション例

  • COMS用ベースウエハー
  • 仮サポート用ウエハー
  • ビア付きハイセラムウエハー

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透光性アルミナセラミックス「ハイセラム」についてはこちらをご覧ください

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  • エレクトロニクス事業本部電子部品事業部営業部
  • 電話番号:052-872-7935
  • FAX番号:052-872-8846

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