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社外発表(論文)|2004年

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エネルギー

タイトル 掲載誌名など
同時押出成形法による積層ハニカム型電気化学セル 独立行政法人 産業技術総合研究所シナジーマテリアル研究センター刊「シナジーセラミックス」, 2004

エコロジー

タイトル 掲載誌名など
Gas separation characteristics of DDR type zeolite membrane Microporous & Mesoporous Materials 68(1-3), 71-75, 2004
A Novel Preparation Method for Foamed Silica Ceramics by Sol-Gel Reaction and Mechanical Foaming Journal of Porous Materials 11(2), 107-115, 2004
[高圧ガス] 用語解説 DDR型ゼオライト 高圧ガス 41(410), 404, 2004
セラミックス支持体を用いたパラジウム水素分離膜の開発 FC Report 22(4), 2004
小型水素分離膜 配管技術 (日本工業出版), 2004

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エレクトロニクス

タイトル 掲載誌名など
広い中央電極と薄い xカット LiNbO3基板を有する高性能光変調器 IEEE Photonics Technology Letters 16(12), 2610-2612, 2004
有機金属気相エピタクシーにより 100mm径のサファイヤ基板に成長した Al含有量の異なる AlGaN/GaNヘテロ構造と高電子移動度トランジスタの評価 Japanese Journal of Applied Physics Part1 43(12), 7939-7943, 2004
ナノパルスプラズマ CVD法による大気圧下での DLC膜合成 New Diamond 20(4), 32-33, 2004
有機金属化学気相成長法による MgOドープニオブ酸リチウム薄膜のエピタキシャル成長 Japanese Journal of Applied Physics Part1 43(12), 8195-8198, 2004
High-electron-mobility AlGaN/AlN/GaN heterostructures grown on 100-mm-diam epitaxial AlN/sapphire templates by metalorganic vapor phase epitaxy Applied Physics Letters 85(10), 1710-1712, 2004
Morphological properties of GaN quantum dots doped with Eu Applied Physics Letters 84(13), 2247-2249, 2004
GaN quantum dots doped with Eu Applied Physics Letters 84(2), 206-208, 2004
Comapact solid-State switched pulsed power and its applications PROCEEDINGS OF THE IEEE 92(7), 1180-1196, 2004
MOVPE growth and characterization of high-Al-content AlGaN/GaN heterostructures on 100-mm-diameter sapphire substrates Jurnal of Crystal Growth 72(1-4), 293-299, 2004
中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価 信学技報(電子情報通信学会技術研究報告) 104(360), 2004

分析・基盤技術

タイトル 掲載誌名など
Surface morphological influence on charging at metal-insulator interface in XPS depth profiling Applied Surface Science 228(1-4), 292-296, 2004
ファインセラミックスの化学分析 セラミックデータブック2004(工業製品技術協会)  32(86), 2004
β"アルミナ焼結体の機械的特性及びイオン導電率 Journal of the Ceramic Society of Japan 112(1305), 287-291, 2004

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